Springen naar inhoud

Aantal ladingsdragers in een extrinsieke halfgeleider


  • Log in om te kunnen reageren

#1

byte

    byte


  • >100 berichten
  • 111 berichten
  • Ervaren gebruiker

Geplaatst op 16 februari 2010 - 20:36

Hallo iedereen,

bij een extrinsieke halfgeleider van het P-materiaal zijn er al reeds gaten aanwezig door het doperen van een 3 waardig element.

door thermische generatie worden er nog meer gaten gecreŽerd.
In mijn boek staat de volgende afleiding.

-We stellen dat het systeem in evenwicht is en dus dat er bij een bepaalde temperatuur evenveel gaten worden gecreŽerd als gerecombineŽerd : G(T)=R(T)

- We nemen dan aan dat de thermische generatie weinig of niet zal beÔnvloed worden door het doperen van een 3waardig element.
Dus G(T)extinsieke = G(T) intrinsieke
en dus ook dat R(T)extinsieke = R(T) intrinsieke

- Men zegt nu dat de recombinatie evenredig is met het product van het aantal vrije positieve en negatieve ladingsgdragers. Immers , hoe meer gaten en/of elektronen er aanwezig zijn des te groter de kans op recombiniatie.

Ze drukken die uit door de volgende vergelijking: LaTeX Waarbij n0 en p0 staan voor het aantal vrije positieve en negatieve ladingsgdragers in de evenwichtstoestand bij een zekere temperatuur.

Wat ik niet begrijp aan deze vergelijking is waarom ze nu juist het product nemen van de vrije positieve en negatieve ladingsgdragers .


Kan iemand mij dit uitleggen?

Alvast bedankt.

Dit forum kan gratis blijven vanwege banners als deze. Door te registeren zal de onderstaande banner overigens verdwijnen.




0 gebruiker(s) lezen dit onderwerp

0 leden, 0 bezoekers, 0 anonieme gebruikers

Ook adverteren op onze website? Lees hier meer!

Gesponsorde vacatures

Vacatures