Springen naar inhoud

Silicium etsen


  • Log in om te kunnen reageren

#1

Grover

    Grover


  • 0 - 25 berichten
  • 5 berichten
  • Ervaren gebruiker

Geplaatst op 05 april 2008 - 13:29

Weet iemand welke reactie er precies optreedt wanneer silicium wordt geŽtst met KOH-oplossing? In de IC-fabricage wordt dit veel gebruikt, maar ik kan nergens vinden wat er nou precies gebeurt. Er zal geen SiO2 ontstaan, want dat zou een vaste laag vormen en niet oplossen. SiH4 is het ook niet want dan zouden er bellen met een gevaarlijk gas ontstaan. Maar wat gebeurt er dan wel? Ontstaat er soms Si(OH)4 (tetrasilanol)?
...verhit de dichloormono-oxide tot 277 graden Celcius en geniet van het effect...

Dit forum kan gratis blijven vanwege banners als deze. Door te registeren zal de onderstaande banner overigens verdwijnen.

#2

hzeil

    hzeil


  • >1k berichten
  • 1379 berichten
  • Ervaren gebruiker

Geplaatst op 05 april 2008 - 13:57

SiO2 lost wel op in een geconcentreerde KOH oplossing.
Vergelijking van het etsproces: Si + O2 + 2 KOH ----)- K2SiO3 + H2O

Ik denk wel dat de etssnelheid erg afhankelijk is van de thermische voorgeschiedenis van het materiaal.
Uitleggen is beter dan verwijzen naar een website

#3

Fuzzwood

    Fuzzwood


  • >5k berichten
  • 11101 berichten
  • Moderator

Geplaatst op 05 april 2008 - 14:07

SiO2 lost wel op in een geconcentreerde KOH oplossing.
Vergelijking van het etsproces: Si + O2 + 2 KOH ----)- K2SiO3 + H2O

Ik denk wel dat de etssnelheid erg afhankelijk is van de thermische voorgeschiedenis van het materiaal.

Misschien leuk om te weten dat loog ook op deze manier glas aantast, wat in feite ook siliciumdioxide is.

#4

ArcherBarry

    ArcherBarry


  • >1k berichten
  • 3338 berichten
  • Moderator

Geplaatst op 05 april 2008 - 15:02

grappig,

En dus waarscheinlijk ook een flink aantal (Edel)stenen

Niet geschoten is altijd mis, en te snel schieten vaak ook.

 

Pas op! Chocolade kan je kleding laten krimpen!


#5

woelen

    woelen


  • >1k berichten
  • 3145 berichten
  • Ervaren gebruiker

Geplaatst op 05 april 2008 - 18:57

Er is geen zuurstof nodig voor het etsproces. Ik heb een keer een proefje gedaan door Si-poeder toe te voegen aan een oplossing van NaOH en dan verwarmen. Het Si lost (langzaam) op onder vorming van waterstof en er gaat silicaat in oplossing.

#6

hzeil

    hzeil


  • >1k berichten
  • 1379 berichten
  • Ervaren gebruiker

Geplaatst op 05 april 2008 - 20:38

Ja, Woelen heeft gelijk. Zonder zuurstof kan het ook wel. Zeker als het onzuiver silicium is dat nog wat katalyserende elementen bevat.
De moeilijke stap is echter die van geadsorbeerde atomaire waterstof naar moleculaire waterstof. Deze stap kan het etsproces behoorlijk afremmen. Een oxydator die reageert met Hads kan daarbij goed helpen.
Een mooi voorbeeld is de reaktie van (pro analyse) zwavelzuur met een stukje (pro analyse) zink. Die verloopt bijna niet vanwege de blokkade door atomaire waterstof. Maar de reaktie met onzuiver zink en/of onzuiver zuur verloopt heel vlot!
Uitleggen is beter dan verwijzen naar een website

#7

Grover

    Grover


  • 0 - 25 berichten
  • 5 berichten
  • Ervaren gebruiker

Geplaatst op 06 april 2008 - 15:36

OK, bedankt voor de reacties. Ik ga me er de komende week wat meer in verdiepen, maar ik weet wel dat men zuiver silicium etst (>99.999999% zuiver, monokristallijn silicium) zonder er zuurstof bij te voegen. Welke reactie er dan precies optreedt staat alleen nergens bij, dus vandaar dat ik het me afvroeg...
...verhit de dichloormono-oxide tot 277 graden Celcius en geniet van het effect...





0 gebruiker(s) lezen dit onderwerp

0 leden, 0 bezoekers, 0 anonieme gebruikers

Ook adverteren op onze website? Lees hier meer!

Gesponsorde vacatures

Vacatures