Het gaat om het volgende probleem. De werking van een transistor. Het onderdeel dat ik niet denk te begrijpen(waar ik onzeker over ben) is het mos condensator gedeelte.
Hier is een plaatje.
Dit is wat ik denk te begrijpen:
Elektronen uit het metaal gaan zitten in sommige gaten in de p-Si(er is een verbinding buitenom). Dit doen ze omdat ze een lager energie niveau kunnen bereiken in p-Si. Op dit lagere energie niveau(onder de geleidingsband) in de p-Si kunnen ze echter niet gebruikt worden voor geleiding.
Er ontstaat een verschil in lading. Het metaal is + ten opzichte van de p-Si. De extra positieve lading in het metaal wordt aangetrokken door de negatieve p-Si. Er kan geen lading door de SiO2 laag. Nu zien we daar een ophoping van positieve en negatieve lading aan weerszijden.
Het evenwicht ontstaat op het moment dat het Fermi-niveau van beide materialen gelijk is.
Kan iemand mij uitleggen waar/of ik er naast zit?
p-Si staat natuurlijk voor p-type Si.
Alvast bedankt
