Wetenschapsforum

Ik had een vraag ivm de werking van een fotodiode array detector

Op deze site vond ik volgende informatie: " http://sales.hamamatsu.com/assets/html/ssd...diode/index.htm "

- Wanneer licht invalt op de fotodiode zullen de e- overgaan van de valentieband naar de geleidingsband als de energie groot genoeg is. Er onstaan zo gaten in de valentieband. In de grensslaag zal het elektrisch veld de e- naar de N-laag en de gaten naar de P-laag sturen.

Van de bekomen elektron-gat paren in de N-laag gaan de e-, samen met de e- gearriveerd uit de P-laag, in de N-laag geleidingsband blijven. De gaten diffunderen door de N-laag, naar de grenslaag en worden versneld naar de P-laag valentieband.

Op deze manier worden elektron gat paren die gemaakt worden in proportie tot de hoeveelheid licht verzameld in de N en P laag. Dit resulteert in een positieve lading in de P-laag en een negatieve lading in de N laag.

Wanneer een extern circuit wordt aangesloten tussen de P en de N laag zullen e- wegvloeien van de N laag en gaten wegvloeien van de P laag naar de omgekeerd geladen elektroden.





Nu mijn vraag:



Is het dus zo dat normaal door diffusie de ladingen een elektrisch veld doen ontstaan. Hierdoor gaan de elektronen dus doorheen de grenslaag naar de N-laag, en de gaten doorheen de grenslaag naar de P-laag.

En een fotodiode-array detector is dan eigenlijk zo'n PN junctie waar een spanning op is aangelegd( anode aan de P-laag, kathode aan de N-laag). Hierdoor gaan de elektronen dan naar de P-laag gaan en de gaten naar de N-laag. Deze gaan een stroom genereren welke dan gedetecteerd wordt?