ik ben nieuw hier, en weet niet echt of dit topic hier thuis hoort, maar ik denk het wel.
Voor ons examen moeten wij een aantal energiebandenschema's kunnen verklaren i.v.m. MOSFET's. (Voor degene die het niet weten,) Bij een MOSFET wordt een Gate (meestal metaal Aluminium of poly-Si) door een isolator SiO2 gescheiden van een halfgeleider Si.
Nu horen daar ook een paar energiebandenschema's bij, zoals ik reeds zei. Aangezien wij echter geen natuurkundige voorgrond hebben, behalve 'the basics', weet ik (en velen anderen uit mijn klas) echter totaal niet hoe men aan het verloop van deze energiebandenschema's komt.
Het ene energiebandenschema (hieronder te zien) stelt het geval voor waarbij geen gatespanning werd aangebracht (Vg = 0).
Het geval waarbij een gatespanning werd aangebracht is hieronder te zien:
Nu zijn mijn vragen: kan iemand vertellen hoe men precies aan dat verloop komt? Waarom buigen de energieniveau's af bij de halfgeleider? Hoe is dit energiebandenschema te interpreteren? (Fermi-niveau is wel duidelijk)
En wat is precies de definitie van een werkfunctie... Dit werd ons rap verteld als zijnde het gemak waarmee elektronen afgestaan kunnen worden.
Alvast bedankt voor de tijd.
